طراحی و
شبیهسازی گیتهای منطقی و معماری FPGAبا استفاده از ساختار ممریستور
چکیده
تکنولوژی ساخت قطعات نیمههادی به مرحلهای
رسیده است که نمیتواند پیشبینی مور در مورد کاهش ابعاد ساخت را پیش ببرد.
محدودیتهای کانال کوتاه در ترانزیستورهای MOSFET مانع از گسترش این تکنولوژی برای ابعاد زیر چند ده نانومتر میشود
که چنین محدودیتهایی طراحان را به سمت ابزارهای جدید سوق داده است.
ممریستور یک عنصر دو سر نانومتری است که
میتوانند با ضخامتی به عرض یک اتم ساخته شود. ویژگیهای خاص این عنصر و همچنین
پتانسیلی که برای پیشرفت آن در نظر گرفته شده است نظر بسیاری از محققان در زمینههای
نانوالکترونیک، معماری کامپیوتر و شبکههای عصبی را به خود جلب کرده است. به
همین خاطر در این پایاننامه بر آن شدیم تا علاوه بر آشنایی با ممریستور به
عنوان عنصر چهارم مدار، بررسی ویژگیها و همچنین کاربردهای کلیدی آن، به بررسی
این عنصر در ساخت گیتهای منطقی و تاثیر آن در معماری FPGAها و در نهایت به
طراحی اینورترهای CMOS-ممریستوری بپردازیم. مدارهای طراحی
شده از جنبههای گوناگون ارزیابی شدهاند و گیتهای طراحی شده با این روش، علاوه
بر ویژگی حافظهدار بودن و فضای اشغالی کمتر نسبت به اینورترهای CMOS، از نظر توان مصرفی و سطح ولتاژ خروجی هم با این تکنولوژی قابل
مقایسه هستند.
