Home Home Information Contact Site Map Library
English Site
   [صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
مدیریت دانشکده::
صفحه اصلی::
درباره دانشکده::
معرفی افراد::
امور آموزش::
امور پژوهش::
اخبار و رویدادها::
آئین نامه ها و فرمها::
تسهیلات پایگاه::
::
تقویم و فرمها

AWT IMAGEتقویم آموزشی مصوب

AWT IMAGE آئین نامه های مصوب

AWT IMAGEبرنامه امتحانات

AWT IMAGE برنامه هفتگی

AWT IMAGEفرمهای آموزشی

AWT IMAGEفرمهای آزمایشگاه

..
کتابخانه

لیست کتابهای فارسی و لاتین، پایان نامه و سمینارهای دانشکده شیمی

سایت اسماء

..
سمینارهای معتبر ملی

انجمن شیمی ایران

مرجع دانش

..
پروتکل های ایمنی و بهداشت
پروتکل های ایمنی و بهداشت در خصوص کووید 19
نحوه برگزاری امتحانات 
ایمنی و بهداشت جهت استفاده از آزمایشگاهها و مراکز تحقیقاتی 
ایمنی و بهداشت در اماکن عمومی
ایمنی و بهداشت در اماکن عمومی2 
بهداشت فردی
..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
آخرین مطالب سایر بخش‌ها
:: فهرست آیین نامه های استعداد درخشان
:: عضو هیات علمی دانشگاه علم و صنعت ایران، استاد برجسته انجمن مهندسان مکانیک ایران شد 
:: عضو هیات علمی دانشگاه علم و صنعت ایران، استاد برجسته انجمن مهندسان مکانیک ایران شد 
..
:: برگزاری دفاعیه دکتری در دانشکده شیمی ::
 | تاریخ ارسال: 1399/10/7 | 
دفاعیه دکتری در دانشکده شیمی
 
                                                                                                        
 
 
 
 
 
 
 
 
خانم مهسا علی­محمدیان دانشجوی دکتری شیمی، در تاریخ ۰۹/۱۰/۹۹ از رساله دکتری خود تحت عنوان" بررسی تاثیرتغییر ساختار الکترونی گرافین و نقش دما، فشار و میدان مغناطیسی در ایجاد خاصیت فرومغناطیس در آن با راهنمایی خانم دکتر بهشته سهرابی دفاع خواهدکرد.
 
استاد راهنما: خانم دکتر بهشته سهرابی
هیات داوران: خانم دکتر آزاده تجردی، آقای دکتر امیرحسین احمد خان کردبچه، آقای دکتر رسول عبداله میرزائی، خانم دکتر زینب موسوی موحدی
 
  این جلسه ساعت ۱۸ روز سه شنبه بصورت مجازی برگزار خواهد شد.
 
  چکیده:  خواص مغناطیسی گرافین در اسپینترونیک و ذخیره سازی داده­ها از اهمیت بالایی برخوردار است. اگرچه خاصیت فرو مغناطیس در عنصری مانند کربن غیر منتظره است ، اما روشهای مختلفی برای ایجاد مغناطش در گرافین ، ماده­ای که کاملاً از کربن ساخته شده، گزارش شده است. اخیراً، کنترل خصوصیات مغناطیسی در دمای بسیار پایین با افزودن و حذف اتم ها در شبکه های گرافین بررسی شده­است. افزون بر این ، اثر فشار در خواص مغناطیسی و الکترونیکی گرافین بررسی شده است. در این رساله ، خاصیت مغناطیسی توسط فشار ، میدان مغناطیسی و دما ایجاد شده است. این پارامترها بر سیستم الکترونیکی و حالتهای ارتعاشی گرافین تاثیر می­گذارد که از طریق طیف سنجی رامان و زیرقرمز مورد بررسی قرار گرفته­است. در واقع ، در این روش­ها توزیع و چرخش الکترونها دستکاری شده و گرافین فرومغناطیسی با حوزه­های مغناطیسی موازی به دست آمده­است. حوزه های مغناطیسی در اندازه میکرومتر بوده که با میکروسکوپ نیروی مغناطیسی مشاهده شده­است. در این رساله افزون بر مشاهده­ی حوزه­های مغناطیسی در گرافین، دستاوردهای دیگری نیز حاصل شده­است: معرفی چهار روش جدید بر اساس دما ، میدان مغناطیسی و فشار برای تولید گرافین فرومغناطیسی که بطور جداگانه و همزمان بر روی ورقه­های گرافین اعمال می شود، بدست آوردن گرافین فرومغناطیس با مغناطیس اشباع قابل توجه در دمای اتاق، بررسی سیستمهای الکترونیکی و حالتهای ارتعاشی از طریق طیف سنجی رامان و زیر قرمز که دلیل اصلی فرآیند مغناطیسی است.
 
 
 
 
دفعات مشاهده: 384 بار   |   دفعات چاپ: 33 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر

CAPTCHA
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش

تهران - میدان رسالت- خیابان هنگام - خیابان دانشگاه علم و صنعت - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده شیمی - کدپستی 1674613114
Information: Phone+98 21 77240540-50 / Letter Email Us Selected Contacts | About this site | Privacy policies | © 2007 Iran University of Science & Technology