دانشکده مهندسی برق

جلسه دفاعیه از پایان نامه کارشناسی ارشد

269

طراحی و شبیه‌سازی گیت‌های منطقی و معماری FPGA با استفاده از ساختار ممریستور

چکیده

تکنولوژی ساخت قطعات نیمه‌هادی به مرحله‌ای رسیده است که نمی‌تواند پیش‌بینی مور در مورد کاهش ابعاد ساخت را پیش ببرد. محدودیت‌های کانال کوتاه در ترانزیستورهای MOSFET مانع از گسترش این تکنولوژی برای ابعاد زیر چند ده نانومتر می‌شود که چنین محدودیت‌هایی طراحان را به سمت ابزارهای جدید سوق داده است.

ممریستور یک عنصر دو سر نانومتری است که می‌توانند با ضخامتی به عرض یک اتم ساخته شود. ویژگی‌های خاص این عنصر و همچنین پتانسیلی که برای پیشرفت آن در نظر گرفته شده است نظر بسیاری از محققان در زمینه‌های نانوالکترونیک، معماری کامپیوتر و شبکه‌های عصبی را به خود جلب کرده است. به همین خاطر در این پایان‌نامه بر آن شدیم تا علاوه بر آشنایی با ممریستور به عنوان عنصر چهارم مدار، بررسی ویژگی‌ها و همچنین کاربردهای کلیدی آن، به بررسی این عنصر در ساخت گیت‌های منطقی و تاثیر آن در معماری FPGAها و در نهایت به طراحی اینورترهای CMOS-ممریستوری بپردازیم. مدارهای طراحی شده از جنبه‌های گوناگون ارزیابی شده‌اند و گیت‌های طراحی شده با این روش، علاوه بر ویژگی حافظه‌دار بودن و فضای اشغالی کم‌تر نسبت به اینورترهای CMOS، از نظر توان مصرفی و سطح ولتاژ خروجی هم با این تکنولوژی قابل مقایسه هستند.

واژه‌های کلیدی: ممریستور، حافظه، گیت‌های منطقی، معماری FPGA، گیت‌های حافظه‌دار

دانشجو:بهروز عبدلی

استاد راهنما: دکترکریم محمدی

هیات داوری: دکتر ادیب ابریشمی‌فر ؛ دکتر ستار میرزاکوچکی؛ دکتر حسن طاهری

تاریخ دفاع:  شنبه  30/9/92  ساعت:     16:30

  محل: دانشکده برق سالن ابن‌سینا